(式中のR1は水素原子又はメチル基、R2は低級アルキル基を示し、Xはそ

(式中のR1は水素原子又はメチル基、R2は低級アルキル基を示し、Xはそれが結合している炭素原子とともに炭素数5ないし20の炭化水素環を形成する基である)で表わされる構成単位を含む共重合体を含有する樹脂である請求項1記載の厚膜形成用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物。

結果 (繁體中文) 1:

(式中，R1為氫原子或甲基，R2為低級烷基，X為與所鍵結的碳原子形成碳原子數5～20的烴環的基團。)2 2. 依請求項1所述的厚膜形成用化學放大型正性光致抗蝕劑組合物，其是含有含有結構單元的共聚物的樹脂。

結果 (繁體中文) 2:

根據權利要求1所述的用於形成厚膜的化學放大型正型光致抗蝕劑組合物，其中，式中的R1表示氫原子或甲基，R2表示低級烷基，X是與其結合的碳原子一起形成碳原子數5~20的烴環的基團）所示的含有構成單元的共聚物。

結果 (繁體中文) 3:

如權利要求1所述厚膜形成用化學增幅型正型光緻抗蝕劑組合物，其中，是含有由(式中的R1表示氫原子或甲基，R2表示低級烷基，x是與其鍵合的碳原子一起形成碳原子數5~20的烴環的基團)表示的結構單元的共聚物的樹脂。