1 Siウェーハ表面の不純物分析 a)材料の概要と目的 Siウェーハ表

1 Siウェーハ表面の不純物分析
a)材料の概要と目的
Siウェーハ表面はクリーンルームからの落下物,プロセス機器中の部材擦動揮発などによる汚染がある.汚染形態は.落下物(パーティクル).付着物(ィン性.有機物など化学物質汚染)とさまざまであるが,汚染による形成プロスやフォトプロセスなどに障害が発生し,デパイス特性不全の原因となるため, 境.プロセス中の汚染濃度の管理が重要である.
b)分析対象元素および定量下限
ます,汚染源,混入経路などを調べるため,定性的な調査を行い.その結果か主要汚染物質および障害となる物質・レベルを決める.高密度化に伴い極量わ測定が要求され107atoms/cm2から109atoms/cm2レベルとなる.
(c)分析法の概要
汚染レベルが比較的高い場合は， Siウェーハを純水に浸漬することにより落
Q4分析環境の済浄度はどのように評価したらよいのでしようか
A4インピンジャーに捕集する方法が一般的ですが.落下物を純水.ウェーハで捕集し.分析する方第は比較的簡単に実施できます.純水に集する方法は.石英.フッ素樹月旨でできたジャーに純水を入れ、評価したい場所に置き一定時間後に回収します放置する時間は.評価したい済浄度または評価したい分析操作で決めます回収後は酸を加えイオン化して分析します分析項目は.測定対象元素および汚染原因調査の場合には本文にある指標元素とします.
Siウェーハに捕集する場合は.あらかじめプランクを確認した満浄なSi ウェーハをウェーハキャリャーに入れて. 純水捕集と同様に評価したい場所に一定時間置いて回収し 表面の目然酸化膜こと希フッ化水素酸で溶解し分析します. Siウェーハでは裏側の汚染が入らないように注意する必要があります



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下物，汚染物質を水に抽出する方法が用いられる. Siウ=ーハをじたフッ素樹脂製容器に入れて純水を10 ~ 20mL程度加え,浸漬 またはチャック付のポリエチレン製袋に入れ,同様に浸漬抽出する 料液を,落下物の評価には酸分解後,またイオン性汚染の評価には rcp - MSで測定する.表面の自然酸化膜に汚染が取り込まれている場化水素酸を抽出に用いることもできる.事前に容器,袋からの溶出くことおよびサンプルの移動中に落下物が落ちないような注意が必ウェーハでは表面(鏡面)より裏面のほうに汚染が多い場合が多く重要な表面のみを評価する場合には裏面が液に触れないような冶具要がある.
汚染レベルが低い場合には,後述の気相分解法またはWSA法(Wafer Surface Analysis) [3]が用いられる. WSA法は,自然酸化膜を気相分化水素酸または酸に酸化剤を加えた液滴をウェーハ表面に動かしてする方法で片面のみの評価が可能であり回収率も高い. Agやcuなべイオン化傾向が小さい元素を分析対象とする場合には,還元によ回収率を上げるため過酸化水素水(H202)などの酸化剤を添加す試料液を,電熱気化または微少量導入ネプライザーによるICP-MSで測定すゐ
Q5ウェーハ試料のサンプリング運搬.保存時の注意点は何でし
A5 測定対象元素の汚染を防止することが基本ですが，分析技術者以した場合の実際の不適切な例を挙げると
1. 試料ウェーハ表面を手袋をした手で触れ. キャリャーケースに入れた
2. 別の試料ウェーハを複数枚重ねて(裏側の汚染)キャリャーケースれた
3.試料ウェーハをビニル袋(ブランク未知の)に入れた
4.クリーンルーム外にキャリャーケースを持ち出した (保護袋に入れずに)
5.ウェーハに直接油性ペンで試料番号を記入した
6.液体試料をガラス瓶 (ブランク未知の) に入れ替えてサンフルと
7.ウェーハ試料を1か月保管し. まとめてから分析依頼した
8.機器評価用ウ=ーハを装置から取り出しクリーンルーム内に放置キャリャーケースに入れた
分析技術 以外が實施する場合には詳細な手順を決め. 教育しておく必要があります

結果 (繁體中文) 2:

晶片表面1的Si雜質的分析
概述和一）材料用途
的Si晶片表面的潔淨室掉落的物體時，處理設備中的摩擦構件的揮發有污染所致。污染形式。墜落物體（粒子）。存款（翅片的阻力。有機化學污染），並且是不同的，污染引起的故障發生在這樣的形式氟磺隆和相片的過程，因為它會導致Depaisu特徵失敗，在進程管理的界限。污染濃度是很重要的。
二）進行分析的元素和定量的下限
馬蘇，污染源，以便檢查這種污染的途徑，進行定性研究。確定要的物質級別作為主要污染物和失敗的結果。緻密化從伴隨著最大劑量予測請求107atoms /平方厘米成為109atoms / cm2的水平。
（c）該分析方法的概述
是比較高的污染水平，通過浸漬矽片在純水中的成功
的Q4分析環境SumiKiyoshi，我要么試著這麼好當如何評估和
如何收集A4撞擊器是常見的，但，高空墜物純淨水，它收集在晶圓號，可以比較容易地進行人分析你如何收集純淨水，石英，氟杵築把純淨水瓶製成的事實，那就是離開之後要評估它在一定的時間和地點都恢復的時間。我想預先清-DO或評估，以評估後由分析操作確定的恢復和分析被電離加入酸分析的項目，在作為本體的指示器元件的測定對象的元素和污染調查會的情況下
提前如果被困在Si晶片。 Si晶片的MitsuruKiyoshi確認板被放置在稀氫氟酸中的純淨水的收集以及所評估的所希望的位置的預定的時間和地點與回收的表面的晶片載體捕手以上的溶分析肉眼的自然氧化膜和你在矽晶片一定要小心後面的污染不轉的P76 在產品，污染物被安排在氟樹脂容器的提取方法一翻轉。矽C =多哈在水中使用除了為約10〜20毫升純水中，放置在浸漬或用拉鍊，收費溶液提取浸沒以及，評價在墜落物體的酸降解後，和離子污染的rcp的評價用聚乙烯袋-質譜在測量。傻瓜鹽酸污染的表面上的自然氧化膜被結合，也可以用於萃取。該容器之前，並以使落下的物體從洗脫的快移動時落下，並且將樣品從包裝袋中吶注意的情況下，如果污染是朝向從表面（鏡面）的必晶片背面往往許多重要的表面有一個夾具是必要的，如後面不接觸液體只評價。如果污染水平是低氣相分解法或WSA（晶圓表面分析）如下[3]被使用。WSA方法，所述液滴通過添加氧化劑到晶片表面進入氣相分化鹽酸或酸的自然氧化膜如果移動評價的方式僅在一側，這是可能的恢復率是高的。銀和銅平底鍋電離趨勢分析的小的基元，過氧化氫，以通過減少的恢復（以增加H 2 O 2 ）將樣品溶液以添加氧化劑，電熱蒸發或在測量引入Nepuraiza通過ICP-MS對無線諸如非常少量的樣本Q5晶片採樣傳輸。這是在儲存過程中一個側面說明，以防止A5的測定對象元素的污染這是基本達到，實際的，當你有一個以上的分析技術的不恰當的比方1.觸摸樣片表面用戴著手套的手，進了捕手放在案多2.另一個樣片片疊加的情況下載體捕手（污染背後）的3樣片放入乙烯袋（空白未知）（不考慮到保護袋）被帶到了4進捕手以上的情況下，以潔淨室的外面5片填寫樣本數量直接油性筆6.液體樣品玻璃瓶通過更換（空白不詳）和Sanfuru 7晶圓樣品1月存儲死亡。集體被要求分析，從8設備評估C =多哈置於左載體捕手以上的情況下在潔淨室從裝置中取出確定的情況下Hodokosuru其他分析技術稔它的詳細說明。必須具有教育

結果 (繁體中文) 3:

關於總結和雜質分析1Si薄酥餅表面的
a)材料目的
Si薄酥餅表面，有汙染由在落的對象的部材擦動揮発從一個潔淨室，一個處理設備。汙染形式。一個落的對象(微粒)。結殼(ィン特徵。)我是各種各樣的，但是得出與化學物質汙染的一個界限)包括混亂為形成Pross發生由汙染或photoprocess的有機物和導致デパイス特徵缺點。汙染密度的管理在過程中的是重要的。
b)興趣和固定數量低限
ます的分析元素，我進行一次定性調查審查汙染源，混合物路線。我決定結果或主要汙染物和材料/級對障礙。最大劑量わ測量要求與濃縮并且成為從107atoms/cm2的109atoms/cm2水平。
(當c)分析的概略
汙染程度相當地高，至於為落
Q4分析環境済浄度，方法我將做它，因為您應該評估了它，或者對在
A4インピンジャー的樣品怎麼通過浸洗Si薄酥餅是共同的對純淨的水，但是。它是在一個落的對象的純淨的水。