1 Siウェーハ表面の不純物分析 a)材料の概要と目的 Siウェーハ表

1 Siウェーハ表面の不純物分析
a)材料の概要と目的
Siウェーハ表面はクリーンルームからの落下物,プロセス機器中の部材擦動揮発などによる汚染がある.汚染形態は.落下物(パーティクル).付着物(ィン性.有機物など化学物質汚染)とさまざまであるが,汚染による形成プロスやフォトプロセスなどに障害が発生し,デパイス特性不全の原因となるため, 境.プロセス中の汚染濃度の管理が重要である.
b)分析対象元素および定量下限
ます,汚染源,混入経路などを調べるため,定性的な調査を行い.その結果か主要汚染物質および障害となる物質・レベルを決める.高密度化に伴い極量わ測定が要求され107atoms/cm2から109atoms/cm2レベルとなる.
(c)分析法の概要
汚染レベルが比較的高い場合は， Siウェーハを純水に浸漬することにより落
Q4分析環境の済浄度はどのように評価したらよいのでしようか
A4インピンジャーに捕集する方法が一般的ですが.落下物を純水.ウェーハで捕集し.分析する方第は比較的簡単に実施できます.純水に集する方法は.石英.フッ素樹月旨でできたジャーに純水を入れ、評価したい場所に置き一定時間後に回収します放置する時間は.評価したい済浄度または評価したい分析操作で決めます回収後は酸を加えイオン化して分析します分析項目は.測定対象元素および汚染原因調査の場合には本文にある指標元素とします.
Siウェーハに捕集する場合は.あらかじめプランクを確認した満浄なSi ウェーハをウェーハキャリャーに入れて. 純水捕集と同様に評価したい場所に一定時間置いて回収し 表面の目然酸化膜こと希フッ化水素酸で溶解し分析します. Siウェーハでは裏側の汚染が入らないように注意する必要があります



P76
下物，汚染物質を水に抽出する方法が用いられる. Siウ=ーハをじたフッ素樹脂製容器に入れて純水を10 ~ 20mL程度加え,浸漬 またはチャック付のポリエチレン製袋に入れ,同様に浸漬抽出する 料液を,落下物の評価には酸分解後,またイオン性汚染の評価には rcp - MSで測定する.表面の自然酸化膜に汚染が取り込まれている場化水素酸を抽出に用いることもできる.事前に容器,袋からの溶出くことおよびサンプルの移動中に落下物が落ちないような注意が必ウェーハでは表面(鏡面)より裏面のほうに汚染が多い場合が多く重要な表面のみを評価する場合には裏面が液に触れないような冶具要がある.
汚染レベルが低い場合には,後述の気相分解法またはWSA法(Wafer Surface Analysis) [3]が用いられる. WSA法は,自然酸化膜を気相分化水素酸または酸に酸化剤を加えた液滴をウェーハ表面に動かしてする方法で片面のみの評価が可能であり回収率も高い. Agやcuなべイオン化傾向が小さい元素を分析対象とする場合には,還元によ回収率を上げるため過酸化水素水(H202)などの酸化剤を添加す試料液を,電熱気化または微少量導入ネプライザーによるICP-MSで測定すゐ
Q5ウェーハ試料のサンプリング運搬.保存時の注意点は何でし
A5 測定対象元素の汚染を防止することが基本ですが，分析技術者以した場合の実際の不適切な例を挙げると
1. 試料ウェーハ表面を手袋をした手で触れ. キャリャーケースに入れた
2. 別の試料ウェーハを複数枚重ねて(裏側の汚染)キャリャーケースれた
3.試料ウェーハをビニル袋(ブランク未知の)に入れた
4.クリーンルーム外にキャリャーケースを持ち出した (保護袋に入れずに)
5.ウェーハに直接油性ペンで試料番号を記入した
6.液体試料をガラス瓶 (ブランク未知の) に入れ替えてサンフルと
7.ウェーハ試料を1か月保管し. まとめてから分析依頼した
8.機器評価用ウ=ーハを装置から取り出しクリーンルーム内に放置キャリャーケースに入れた
分析技術 以外が實施する場合には詳細な手順を決め. 教育しておく必要があります

結果 (繁體中文) 1:

1 矽片表面雜質分析 a） 物質的說明和目的 矽晶片表面下降物件從潔淨室，那裡是造成污染的工藝設備中，材料的摩擦運動揮發性...污染形式......高空墜物 （顆粒）。 存款 （中的性生活......有機化合物如化學污染） 和客戶的品種，但污染形成正反照片過程失敗，造成鄙視特點的功能失調，邊境...污染集中的過程管理是重要的...... b） 進行分析和檢測限 會，如檢查污染源、 污染途徑，進行一次定性調查......成為一種主要污染物和失敗或結果確定這種物質以及水準。 由於高密度可觀測量.測量是需要，組成的 107atoms/cm2 和 109atoms/cm2 水準。 (c) 分析方法概述 如果污染水準相對較高，落浸泡在水中的矽片。 自第 4 季度分析環境和傑出純淨程度是什麼應該評估嗎？ A4 撞擊陷印方法是共同的......下降水...和陷印在晶圓...分析號是可以相對容易地...實現純水對集合的方式......石英收回要留出時間給要評價氟由樹做成的指出到位後一定時間加酸回收後的傑出的純淨水純淨或分析做了你想要評估評估，並決定，分析電離和分析專案......和指示元素來測量元素和造成污染，如果全文本是...... 如果比純矽晶片上的陷印驗證普朗克接收到 werhacarriire 的矽片。 地方想要評估類似于收穫的時間，恢復的純淨水和眼表面的自然氧化，分析與氫氟酸溶解。 你一定要小心不背面污染對矽片 P76根據產品，用於提取水污染物。 SI c = 臨屋區，氈的氟塑膠容器在純淨水 10 ~ 另外收取液體 20 毫升，浸泡或用聚乙烯袋包裝，浸泡，以及浸漬提取查克秋天評價是酸分解，也在 rcp 氣相色譜-質譜測定離子污染評價後......可能用於提取領域的酸污染成自然氧化膜......從貨櫃浸出，袋提前去和，脫落的碎片不落不同時移動示例注釋始終矽片表面 （鏡像）跳汰機跳汰機需要如果來評估只有關鍵的表面污染往往是很多更多背到背側接觸液體。 當污染水準較低時，低於氣相分解或 WSA 法 (晶圓表面分析) [3] 使用。 WSA 是自然氧化層水汽影響移動矽片表面分化氫酸或酸性氧化劑，再加上液滴評價只有一面高回收率的方法。 銀或銅鍋電離傾向小元素進行分析，減少樣品溶液于加入氧化劑過氧化氫 (H202) 這類提高採收率、 蘇怡電感耦合等離子體質譜測定電熱蒸發或者少量的介紹 nepreiserQ5 矽片樣品取樣交通考慮保存時及在什麼是的基礎，防止 A5 測量目標元素污染，但分析技術員： 真正的壞例子如果你 1.晶圓片表面用手摸過的手套。 並使用案例2.多個不同的樣本晶圓級聯 （背面污染） 使用的大小寫是3.樣品晶片將塑膠袋套 （未知空白） 4.外部潔淨室用案例帶來了達 （沒有保護袋）5.矽片上填寫直接與油性筆樣本數 6.更換玻璃罐子 （未知空白） 液體和砂毛皮 7.晶圓採樣和保持 1 個月。 從分析請求 8.得到了放棄了使用案例，在一個乾淨的房間和開機器設備評估 c = tha 除了實分析技術決定給你詳細的說明。 你必須接受教育，

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晶片表面1的Si雜質的分析
概述和一）材料用途
的Si晶片表面的潔淨室掉落的物體時，處理設備中的摩擦構件的揮發有污染所致。污染形式。墜落物體（粒子）。存款（翅片的阻力。有機化學污染），並且是不同的，污染引起的故障發生在這樣的形式氟磺隆和相片的過程，因為它會導致Depaisu特徵失敗，在進程管理的界限。污染濃度是很重要的。
二）進行分析的元素和定量的下限
馬蘇，污染源，以便檢查這種污染的途徑，進行定性研究。確定要的物質級別作為主要污染物和失敗的結果。緻密化從伴隨著最大劑量予測請求107atoms /平方厘米成為109atoms / cm2的水平。
（c）該分析方法的概述
是比較高的污染水平，通過浸漬矽片在純水中的成功
的Q4分析環境SumiKiyoshi，我要么試著這麼好當如何評估和
如何收集A4撞擊器是常見的，但，高空墜物純淨水，它收集在晶圓號，可以比較容易地進行人分析你如何收集純淨水，石英，氟杵築把純淨水瓶製成的事實，那就是離開之後要評估它在一定的時間和地點都恢復的時間。我想預先清-DO或評估，以評估後由分析操作確定的恢復和分析被電離加入酸分析的項目，在作為本體的指示器元件的測定對象的元素和污染調查會的情況下
提前如果被困在Si晶片。 Si晶片的MitsuruKiyoshi確認板被放置在稀氫氟酸中的純淨水的收集以及所評估的所希望的位置的預定的時間和地點與回收的表面的晶片載體捕手以上的溶分析肉眼的自然氧化膜和你在矽晶片一定要小心後面的污染不轉的P76 在產品，污染物被安排在氟樹脂容器的提取方法一翻轉。矽C =多哈在水中使用除了為約10〜20毫升純水中，放置在浸漬或用拉鍊，收費溶液提取浸沒以及，評價在墜落物體的酸降解後，和離子污染的rcp的評價用聚乙烯袋-質譜在測量。傻瓜鹽酸污染的表面上的自然氧化膜被結合，也可以用於萃取。該容器之前，並以使落下的物體從洗脫的快移動時落下，並且將樣品從包裝袋中吶注意的情況下，如果污染是朝向從表面（鏡面）的必晶片背面往往許多重要的表面有一個夾具是必要的，如後面不接觸液體只評價。如果污染水平是低氣相分解法或WSA（晶圓表面分析）如下[3]被使用。WSA方法，所述液滴通過添加氧化劑到晶片表面進入氣相分化鹽酸或酸的自然氧化膜如果移動評價的方式僅在一側，這是可能的恢復率是高的。銀和銅平底鍋電離趨勢分析的小的基元，過氧化氫，以通過減少的恢復（以增加H 2 O 2 ）將樣品溶液以添加氧化劑，電熱蒸發或在測量引入Nepuraiza通過ICP-MS對無線諸如非常少量的樣本Q5晶片採樣傳輸。這是在儲存過程中一個側面說明，以防止A5的測定對象元素的污染這是基本達到，實際的，當你有一個以上的分析技術的不恰當的比方1.觸摸樣片表面用戴著手套的手，進了捕手放在案多2.另一個樣片片疊加的情況下載體捕手（污染背後）的3樣片放入乙烯袋（空白未知）（不考慮到保護袋）被帶到了4進捕手以上的情況下，以潔淨室的外面5片填寫樣本數量直接油性筆6.液體樣品玻璃瓶通過更換（空白不詳）和Sanfuru 7晶圓樣品1月存儲死亡。集體被要求分析，從8設備評估C =多哈置於左載體捕手以上的情況下在潔淨室從裝置中取出確定的情況下Hodokosuru其他分析技術稔它的詳細說明。必須具有教育

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關於總結和雜質分析1Si薄酥餅表面的
a)材料目的
Si薄酥餅表面，有汙染由在落的對象的部材擦動揮発從一個潔淨室，一個處理設備。汙染形式。一個落的對象(微粒)。結殼(ィン特徵。)我是各種各樣的，但是得出與化學物質汙染的一個界限)包括混亂為形成Pross發生由汙染或photoprocess的有機物和導致デパイス特徵缺點。汙染密度的管理在過程中的是重要的。
b)興趣和固定數量低限
ます的分析元素，我進行一次定性調查審查汙染源，混合物路線。我決定結果或主要汙染物和材料/級對障礙。最大劑量わ測量要求與濃縮并且成為從107atoms/cm2的109atoms/cm2水平。
(當c)分析的概略
汙染程度相當地高，至於為落
Q4分析環境済浄度，方法我將做它，因為您應該評估了它，或者對在
A4インピンジャー的樣品怎麼通過浸洗Si薄酥餅是共同的對純淨的水，但是。它是在一個落的對象的純淨的水。