ネオホストなります

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結果 (繁體中文) 1:

威爾Neohosuto

結果 (繁體中文) 2:

底門/頂接觸器件是在 700 μm 厚的 n 摻雜 Si 基板上製造的，其厚度為 200 nm 的 SiO2。基材用食人魚溶液（3：1 H2SO4：H2O2）清洗，然後用去離子水沖洗。門電極在1nm厚的Cr粘附層上使用30nm Au進行熱蒸發。圖案基板通過丙酮的聲波清洗，然後是等丙醇。在烤箱中乾燥後，在 UV_O3 清潔劑中處理基板。然後，清潔的基板被轉移到氮手套箱中，用於在介電層上旋轉塗層。DMAc中的120mg mL+1溶液或MEK中的80mg mL+1溶液于前一天製備，並在80°C的氮氣環境中過夜。溶液在1，500rpm下旋轉1分鐘，在85°C下退火15分鐘，180°C退火30分鐘，產生600~800納米厚的薄膜。PhF2，6 有源層在2000rpm下旋轉，在85°C下退火15分鐘。Au 接觸（50 nm 厚）通過熱蒸發沉積。在測試前，設備在160°C下退火20分鐘。

結果 (繁體中文) 3:

成為新主機